Bu gün cihazların ən əhəmiyyətli xüsusiyyətlərindən biri operativ yaddaşları yəni RAM-lardır. Bəzən bu ramlar tez sıradan çıxır və məlumatlarınızı davamlı saxlamaq üçün nəzərdə tutulmur. Lancaster Universitetinin professoru Manus Hein 1000 ilə qədər məlumat saxlaya bilən yeni ULTRARAM yaddaş texnologiyası hazırlayıb. Yeni yaddaş texnologiyası sələfi yəni DRAM-dan daha az enerji sərf edir. Hələlik bu texnologiya sadəcə konsept olaraq mövcud olsa da, gələcəkdə bir çox cihazda istifadə edilə bilər. Həmçinin yeni kəşfi ilə Manus Hein Flash Memory Summit konfransında mükafat qazanıb.
DRAM çox sürətlidir, oxuma və yazma sürətləri ən sürətli SSD-dən qat-qat yüksəkdir və demək olar ki, istədiyiniz qədər yüksək sürətlə məlumat yazıb-oxuya bilər. Lakin o, operativ yaddaş olduğundan, məlumatları saxlamaq üçün daimi enerjiyə ehtiyac duyur var. Elektrik enerjisi kəsildikdə, bütün məlumatlar itirilir, buna görə də cihaz mütləq işləməyə davam etməlidir.
ULTRARAM daha az enerji sərf edərkən hər iki funksiyanı DRAM səviyyəsində performansla yerinə yetirməyi vəd edir. Artıq yuxu rejiminə belə ehtiyac olmur, çünki enerji söndürüldükdə belə sistem vəziyyətini ULTRARAM-da saxlaya və təbii sürəti sayəsində onu dərhal işə sala bilərsiniz. Yavaş yükləmənin çatışmazlıqları olmadan min ildən sonra belə siz kompüterinizə qayıda və nəzəri olaraq qaldığınız yerdən davam edə bilərsiniz. Təbii ki, ən əsas istifadə dairəsi, korporativ sahədə serverlərin məlumatı uzun müddət aktiv şəkildə enerji kəsintiləri olsa belə aktv saxlaya bilməsi cəhətdən olacaq.
Bəlkə də daha önəmlisi, ULTRARAM silikon əsaslı çip deyil. Onun əsaslandığı zəruri kvant rezonans tunelinə cari ULTRARAM dizaynını təşkil edən qallium antimonid (GaSb), indium arsenid (InAs) və alüminium antimonid (AlSb) kimi mürəkkəb yarımkeçiricilərdə rast gəlinir.
Adi yaddaş çipləri kimi, 1000 ilə qədər məlumat saxlaya bilən ULTRARAM texnologiyası da oksid tunel maneəsini uç maneəli rezonans tunel quruluşu ilə əvəz etmək üçün kvant mexaniki effektdən istifadə edir. Bu isə tranzistorların aşağı gərginlikdə yüksək sürət və səmərəliliklə işləməsinə imkan yaradır. Həmçinin bu vəziyyət yaddaş çiplərinin daha davamlı olmasına şərait yaradır. Qeyd edək ki, sammitdə münsiflər heyətinin sədri olan Jay Kramer bildirib ki, “Biz sürət, davamlılıq və enerji səmərəliliyini vahid yaddaş konsepsiyasında birləşdirən yeni operativ yaddaş ixtirasına görə Manus Heini mükafatlandırmaqdan qürur duyuruq”.
İndi əsas məqsəd yeni texnologiyanı kommersiya məhsuluna çevirməkdir. Hazırda bir çox elektronik məhsul DRAM texnologiyasından istifadə edir. Lakin bu vəziyyət yaxında dəyişə bilər. Təbii ki, ilk öncə bu yaddaş texnologiyasını istehsal edəcək brend tapmaq lazımdır. Həmçinin yeni yaddaş texnologiyası olan ULTRARAM bazara çıxarılmadan əvvəl bir çox sınaqdan keçirilməlidir.
