San Jose mərkəzli Kaliforniya şirkəti olan NEO Semiconductor dünyanın ilk 3D X-Ram texnologiyasını təqdim edib. Texnologiya sahəsində inqilabi yenilik hesab edilən bu texnologiya vasitəsi ilə artıq 4TB yaddaşlı RAM-lardan istifadə etmək mümkün olacaq. Yeni çiplər aşağı qiymətə daha çox RAM tutumu təklif edir. Belə ki, yeni texnologiya DRAM-lardakı sıxlığı aradan qaldıra biləcək. Bundan əlavə yeni texnologiya daha minimal texniki xərcə malik olacaq.
NEO Semiconductor şirkəti iddia edir ki, yeni 3D X-Ram texnologiyası DRAM operativ yaddaşları üçün dünyanın ilk 3D NAND oxşarı texnologiyasıdır. Hətta yeni texnologiya hazırda bazarda mövcud olan 2D RAM texnologiyasını əvəzləməklə yetinməyib, onu üstələyəcək. Buna səbəb isə yeni texnologiyanın həm daha ucuz həm də daha sağlam olmasıdır. Şirkətin iddia edir ki, yeni texnologiyaya əsaslanan ilk 1TB ramlar 2030-cu ilə qədər hazırlanacaq. Ümumiyyətlə gələcəkdə 8 çip ilə təchiz edilmiş RAM modelləri 2TB yaddaşa sahib ola biləcək. Əgər 32 çip ilə təchiz edilmiş RAM hazırlanarsa yeni texnologiya ilə onun yaddaşı 4TB-a çata bilər.
4TB yaddaşa sahib olan 3D X-Ram texnologiyasına əsaslanan Ramlar əsasən serverlər üçün nəzərdə tutulur. Bu isə serverlərdə inqilabi yeniliyə səbəb ola bilər. NEO Semiconductor şirkəti qeyd edir ki, yeni texnologiya 3D NAND DRAM hüceyra matrisinin quruluşuna oxşayır. Belə ki, bu texnologiya heç bir kondensator olmadan hüceyrə texnologiyasına əsaslanır. Bu hüceyrə quruluşu da öz növbəsində 3D yaddaşın yaradılması üçün yüksək sürətli, yüksək intensivli, ucuz və səmərəli həll yolu hesab olunur.
