Bu gün elektron cihazların ən böyük problemlərindən biri həddindən artıq isinməsidir. Virciniya Universitetinin Mühəndislik və Tətbiqi Elmlər Məktəbinin tədqiqatçıları kristal əsaslı soyutma texnologiyası ilə elektron cihazlarda bu istilik problemini həll edə biləcək əhəmiyyətli irəliləyiş əldə ediblər. Altıbucaqlı bor nitridi (hBN) adlanan xüsusi kristal quruluşdan istifadə edilməklə hazırlanmış bu texnologiya ənənəvi soyutma üsullarından çox daha effektiv nəticələr verir.
Bildiyimiz kimi, elektron cihazların prosessorları və digər komponentləri işləyərkən əhəmiyyətli miqdarda istilik əmələ gətirir. Bu komponentlər bugünkü texnologiyada getdikcə daha kiçik məkanlara sıxışdırıldığından, səmərəli istiliyin çıxarılması kritik məsələyə çevrilib. Mövcud cihazlar fanatlar, soyuducular və ya maye soyutma sistemləri kimi ənənəvi üsullardan istifadə edir. Bununla belə, bunlar qiymətli yer tutur və əlavə enerji sərfiyyatı tələb edir. Əslində, bu sistemlər istiliyi kifayət qədər tez çıxara bilmədikdə, elektron komponentlər özlərini qorumaq üçün saat sürətlərini və performanslarını azaldacaqlar.
Virciniya Universitetində tədqiqat qrupu ənənəvi soyutma sistemlərinin məhdudiyyətlərini aradan qaldıran innovativ yanaşma işləyib hazırlayıb. Tədqiqatçılar altıbucaqlı bor nitrid kristallarından istifadə ediblər ki, onlar tamamilə fərqli fiziki proses vasitəsilə bir materialdan digərinə istilik ötürürlər. Standart materiallarda istilik fonon adlanan atom titrəyişləri ilə daşınır və bu proses olduqca yavaş gedir. Fononlar bir-biri ilə toqquşur və enerjilərini təsadüfi və tədricən ötürür, istilik yığılmasına və cihazların həddindən artıq istiləşməsinə səbəb olur. Bunun əksinə olaraq, hBN kristallarında “hiperbolik fonon polariton” (HPhP) rejimləri kimi tanınan unikal fiziki mexanizm mövcuddur. Belə ki, Bu rejimlər kristalın daxilindəki xüsusi vibrasiyaların elektromaqnit dalğaları ilə birləşməsindən yaranır və istilik daha sürətli yayılmağa imkan verir. Keçən ay Təbiət MateriallarıCell Biology jurnalında dərc edilən araşdırmada komanda hBN substratının üstünə qızıl yastiqciq yerləşdirərək eksperimental sübut təqdim edib.
