Çip sənayesində daha kiçik və mürəkkəb istehsal proseslərinə keçid davam edərkən ASML-nin yeni nəsil High NA EUV litoqrafiya texnologiyası getdikcə daha çox istehsalçının planlarına daxil olur. Intel-in ardından Samsung və TSMC də yüz milyonlarla dollar dəyərində olan bu sistemlərdən istifadə etməyə hazırlaşır.
ASML-nin açıqlamasına görə, Samsung 2028-ci ilə qədər High NA EUV texnologiyasını DRAM istehsalında tətbiq etməyi planlaşdırır. TSMC isə 2030-cu ildən etibarən texnologiyanı qabaqcıl çip istehsal proseslərinə daxil etməyi nəzərdə tutur.
Hazırda High NA EUV-dən faktiki istehsalda istifadə edən əsas şirkət Intel hesab olunur. Şirkət texnologiyanı 18A istehsal prosesində tətbiq edir və bu proses müəyyən Core Ultra Series 3 — Panther Lake prosessorlarının istehsalında istifadə olunur. Intel eyni zamanda daha təkmilləşdirilmiş 18A-P və 14A istehsal prosesləri üzərində işləyir.
ASML-nin məlumatına görə, Intel indiyə qədər 18A prosesi əsasında 1 milyondan çox vafli istehsal edib. High NA EUV-yə rəqiblərindən daha erkən keçid şirkətə həm texniki təcrübə toplamaq, həm də gələcək nəsil istehsal proseslərini daha tez hazırlamaq imkanı verir.
High NA EUV mövcud EUV sistemlərindən daha yüksək ədədi aperturaya malik optikadan istifadə edir. Bu isə daha kiçik strukturların yüksək dəqiqliklə vafli üzərinə köçürülməsinə və gələcək nəsil çiplərdə tranzistor sıxlığının artırılmasına imkan yaradır.
Sektorda paralel olaraq başqa mühüm dəyişiklik də hazırlanır. ASML, Samsung və TSMC hazırda istifadə edilən 6 düymlük fotomaskalardan 12 düymlük fotomaskalara keçid üçün birgə təşəbbüs başladıb. SK Hynix-in də bu konsorsiuma qoşulmağı nəzərdən keçirdiyi bildirilir.
Fotomaskalar çip üzərindəki milyardlarla tranzistoru və onların əlaqələrini formalaşdıran dövrə naxışlarının vafli üzərinə köçürülməsində şablon rolunu oynayır. Maskaların ölçüsünün iki dəfə artırılması xüsusilə böyük və mürəkkəb çiplərin High NA EUV sistemləri ilə istehsalında mühüm üstünlük yarada bilər.
Hazırkı High NA EUV sistemlərində böyük çiplərin istehsalı zamanı “stitching” adlandırılan birləşdirmə üsulundan istifadə etmək lazım gələ bilər. Çipin bütün naxışı bir pozlama sahəsinə yerləşmədikdə müxtəlif hissələr ayrıca çap edilir və sonradan son dərəcə yüksək dəqiqliklə bir-birinə uyğunlaşdırılır. Bu isə istehsalı mürəkkəbləşdirərək həm vaxtı, həm də xərcləri artırır.
12 düymlük fotomaskaların tətbiqi daha böyük çip naxışlarının daha az bölünmə ilə istehsal edilməsinə imkan verə bilər. Məqsəd stitching ehtiyacını azaltmaq, istehsal prosesini sadələşdirmək və fabriklərin məhsuldarlığını yüksəltməkdir.
ASML bu dəyişiklik üçün uzunmüddətli yol xəritəsi hazırlayıb. 12 düymlük fotomaskalara uyğun istehsal xətlərinin sınaqlarının 2031-ci ildə başlaması, texnologiyanın 2033-cü ildə kütləvi istehsala keçməsi planlaşdırılır. Şirkətin hesablamalarına görə, yeni maska standartı müəyyən istehsal proseslərində məhsuldarlığı 40 faizə qədər artıra bilər.
Bununla belə, mövcud Low NA EUV sistemlərindən High NA EUV-yə keçid çip istehsalçıları üçün həm texniki, həm də maliyyə baxımından asan olmayacaq. Intel texnologiyaya daha erkən sərmayə qoyaraq yüksək ilkin xərcləri üzərinə götürsə də, bunun müqabilində istehsal təcrübəsi qazanıb. Samsung və TSMC isə qarşıdakı illərdə eyni texnologiyanı istehsala inteqrasiya edərkən yeni avadanlıq, proses uyğunlaşdırılması və istehsal səmərəliliyi ilə bağlı çətinlikləri həll etməli olacaq.
