Infineon ilk dəfə 300 mm-lik SiC lövhədə çip istehsal etdi
Infineon 300 mm SiC lövhədə işlək güc çipləri istehsal edib. Böyük lövhə 200 mm-lik ilə müqayisədə təxminən 2,3 dəfə çox çip verir.
Alman çip istehsalçısı Infineon Avstriyanın Villax şəhərindəki zavodunda 300 mm SiC lövhələrdə işlək güc yarımkeçiriciləri istehsal edib. Şirkətin sözlərinə görə, bu, tam miqyaslı zavod şəraitində dünyada ilk nəticədir. İstehsal üçün mövcud silisium avadanlığından istifadə olunub.
Böyük lövhə 2,3 dəfə çox çip deməkdir
300 mm diametrli bir lövhədən indiki 200 mm-lik lövhə ilə müqayisədə təxminən 2,3 dəfə çox çip alınır. Bu da zamanla hər çipin maya dəyərini aşağı salır. Silisium çiplərdə 300 mm uzun müddətdir standartdır, amma silisium karbid kimi sərt və çətin emal olunan materialda bu ölçüyə keçmək böyük addım sayılır.
Silisium karbid niyə vacibdir?
SiC elektrik enerjisini adi silisiumdan daha az itki ilə çevirir, yüksək gərginlik və temperaturda işləyə bilir. Ona görə də elektromobillərin mühərrik idarəetməsində, bort şarj cihazlarında, doldurma stansiyalarında, enerji anbarlarında və süni intellekt məlumat mərkəzlərinin enerji təchizatında istifadə olunur.
Infineon Drezdendəki zavodunda kristalı lövhələrə ayıran Cold Split texnologiyasını da 300 mm SiC üçün sınayıb. Bu üsul adi məftillə kəsmədən daha az material itkisi ilə və daha tez işləyir. Seriyalı istehsalın tarixi isə hələ açıqlanmayıb. Şirkət onu müştərilərlə birlikdə müəyyənləşdirəcək, 200 mm-lik SiC istehsalı isə davam edir.
Mənbə Semiconductor Today
